在某些情况下,实际上完全改变偏置的种类(传导角),从A类、AB类到B类和可能的其它类,或许是有利的。
在缓冲运算放大器输入采用两个DCP和一个加权求和网络也容易达到上述目的--有效地把位分辨率加倍。两个连接在一起的6位(64滑片位置)DCP能达到12位(4096滑片位置)分辨率。
选择R1/R2之比与抽头点数相等(这时6位相当于64位置),可能得到4000多滑片位置的分辨率。这个做法不仅是以为LDMOS器件提供高分辨率偏置,同时也为晶体管提供最大的灵活性,使它能偏置在任何一类。
Xicor的X9250数字电位器一般能提供要求的电压分辨率,尤其是在输出电压范围受到条件限制的时候。只要给电位器的高端和低端选定上下极限就可以了。此外,运算放大器缓冲器容许为范围调整和采用补偿增加更大的灵活性。
典型的LDMOS晶体管要求约2.5mV的栅压变化以便引起漏极电流1%的变化。因此,用一个8位电位器在1%分辨率的整6V范围内调谐是可能的。利用上述两个6位电位器的实例为有1%分辨率的整个10V范围提供了(调谐)的可能性,然而正常情况下将降低(电压)范围以便维持较高的分辨率。
芯片上的存储器
芯片上的存储器是大部分DCP系列都有另一个特点。它使设计师能给每个电位器装入四个值的置位,并在任何时候把存储器寄存器指定给电位器。
一般来说,没有必要使用这些存储器设定。在正常情况下,这种设定是由外部处理器和存储器储存和控制的。给滑片寄存器重新输出新值并不会在滑片上引起寄生噪声。这允许RF在上电时对功放偏置动态编程,,无有害的(甚至可察觉的)结果。
在理论上,这是改变晶体管偏置条件的最坏时机,因为偏压电源上的任何尖峰都会导致大量的晶体管电源电流,加强了RF的功率,可能有致命的后果。存储器设定很可能用于很多功率放大器的设计特性。
数字热补偿
热状态由系统的微控制器监控。可用查表法或算法来计算晶体管的最佳工作点。离散值的预置表在生产时间装入存储器,并在必要时装入滑片寄存器。
栅极电压(Vg)/漏极电流(Id)漂移补偿
LDMOS晶体管由于时间过而受到性能漂移的伤害。基本的影响是要求稍微增加栅电压以维持规定的漏极电流。LDMOS的加工工艺继续精化,电流漂移的数字是20年漂移5%。大部分漂移发生在发货前在工厂内给放大器加电试验的时候。漂移还和工艺截止频率成正比。
其它射频应用
DCP可广泛地用于其RF应用。一个好的实例是向量调制器。向量调制器的目的是处理任意信号,使它的振幅和相位能在有控制的状态下变化。最近,采用向量调制器已经成为线性化放大系统复杂增益调整的流行方法,既用于前馈也用于预矫正。
向量调制器包括一个3dB90°混合电路、一个同相位组合器、两个可变衰减器,它是用一对混频器或者带二极管的另外两个3dB90°混合电路完成的。